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半导体激光

时间:2013-08-04来源:机器视觉网http://shixinhua.com 作者:石鑫华 点击: 999999次
半导体激光(Semiconductor laser)在1962年被成功激发,在1970年实现室温下连续发射。后来经过改良,开发出双异质接合型激光及条纹型构造的激光二极管(Laser diode)等,广泛使用于光纤通信、光盘、激光打印机、激光扫描器、激光指示器(激光笔),是目前生产量最大的激光器。
 
在基本构造上,它属于半导体的P-N接面,但激光二极管是以金属包层从两边夹住发光层(活性层),是“双异质接合构造”。而且在激光二极管中,将界面作为发射镜(共振腔)使用。在使用材料方面,有镓(Ga)、砷(As)、铟(In)、磷(P)等。此外在多重量子井型中,也使用Ga·Al·As等。
 
由于具有条状结构,即使是微小电流也会增加活性区域的居量反转密度,优点是激发容易呈现单一形式,而且,其寿命可达10~100万小时。
 
激光二极体的优点是效率高、体积小、重量轻且价格低。尤其是多重量子井型的效率有20~40%,P-N型也达到数%~25%,总而言之能量效率高是其最大特色。另外,它的连续输出波长涵盖了红外到可见光范围,而光脉冲输出达50W(带宽100ns)等级的产品也已商业化,作为激光雷达或激发光源可说是非常容易使用的激光的例子。
 
Q-Line 纤绿半导体连续激光器 (可见光)
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